旭化成は名古屋大学との共同研究グループで次世代の半導体トランジスタを開発したと発表した。電気の流れを制御する素子「高電子移動度トランジスタ（HEMT）」を窒化アルミニウム（AlN）の基板上につくる。窒化ガリウム（GaN）を活用するHEMTより性能を高め「第6世代移動通信システム（6G）」など向けに活用を見込む。
6Gのほか衛星通信や高性能レーダーなど、次世代通信やレーダーシステムの高周波・高出力デバイスの性能向上が期待できるという。新たに開発したHEMTは結晶成長の条件などを改善し、GaNを活用するHEMT比2倍以上の耐圧性能や低抵抗化などにつなげた。結晶成長には有機金属気相成長（MOVPE）法を使い量産性にも優れるという。
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