東レは厚さが最小30マイクロ（マイクロは100万分の1）メートル以下の超薄膜半導体チップ製造に使う材料を開発した。人工知能（AI）用に需要が高まるメモリーなど向けで、材料の変形を抑えることによりウエハーを均一的に薄くできる。半導体の性能を高めるための積層技術の向上に役立つ。2028年までの量産化を目指す。
新材料は高耐熱性樹脂のポリイミドをベースに開発した。AI半導体に使われデータの高速処理に欠かせない広域帯メモリー（HBM）では、チップについて積層数を増やすために薄くする。そこでウエハーを削る際に従来比2倍以上変形しにくくした新材料で支え、かかる圧力が等しくなるようにして厚さがほぼ均一で薄いチップを実現した。
HBM以外にもデータ保管用のソリッド・ステート・ドライブ（SSD）の部材となるNAND型フラッシュメモリー、電気自動車（EV）など向けのパワー半導体などに使えるという。健康に悪影響を及ぼす可能性のある有機フッ素化合物（PFAS）などは不使用とした。量産には既存の製造インフラを活用する予定だ。
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