ルネサスエレクトロニクスと半導体の受託生産を手掛ける米グローバルファウンドリーズ（GF）は17日、次世代車向けの半導体を共同で製造すると発表した。GFが回路線幅12〜28ナノ（ナノは10億分の1）メートルの製造技術を提供する。将来的にはルネサスの国内工場への技術移管も検討する。
先進運転支援システム（ADAS）や電気自動車（EV）で求められるレーダーやバッテリー監視システム、通信機能などに特化した半導体をルネサスが設計し、GFに製造委託する。26年半ばから、米国やドイツ、シンガポール、中国にあるGFの製造拠点や協力工場で製造を始める。
ルネサスは車や産業機器の頭脳となるマイコン半導体を手掛ける。茨城県などにある自社工場で成熟技術にあたる40ナノまでの半導体を生産し、高性能品は台湾積体電路製造（TSMC）やGFなどに生産委託する「ファブライト」戦略をとる。GFの技術が移管されれば日本企業として従来より微細な演算用半導体を生産できる。
GFは電力効率の高い用途特化型の生産技術や、電圧制御用の半導体と動作制御用の半導体を1つのチップに収める技術を持つ。温度変化が大きくデータ通信量の多い次世代車の要求にも応えられる。
【関連記事】
- ・米グローバルファウンドリーズ、シンガポールの光半導体メーカー買収
- ・ルネサス、電子機器のタイミング部品売却を発表 売却先の株一部取得
- ・AIブーム乗り遅れたルネサス 前期6年ぶり最終赤字、車向け受注鈍く
鄭重声明：本文の著作権は原作者に帰属します。記事の転載は情報の伝達のみを目的としており、投資の助言を構成するものではありません。もし侵害行為があれば、すぐにご連絡ください。修正または削除いたします。ありがとうございます。
