JSRと子会社の米インプリアは米半導体製造装置大手ラムリサーチと、次世代半導体製造に向け知財を相互に使うクロスライセンス契約を締結したと発表した。契約は非独占的。次世代半導体製造に不可欠な極紫外線（EUV）露光に使うフォトレジストなどの材料を共同で開発する。
JSRやインプリアの、半導体の基板に回路を描くリソグラフィーの材料や、ラムリサーチの回路を形成するエッチング技術などを持ち寄って協業する。
あわせて、米国デラウェア州地方裁判所でのインプリアとラムリサーチの間の係争や、関連する特許異議申し立て手続きを取り下げることで同意したとも明らかにした。
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